IGBT和MOS管都是半导体器件，但是它们的结构和工作原理不同，MOS管是一种场效应管，它的导通电阻小，开关速度快，适用于高频高压应用；而IGBT是一种双极型晶体管，它的导通电阻大，耐压高，适用于低频大功率应用 。
