mos管和igbt的区别

MOS管和IGBT都是半导体器件，但是它们的结构、控制方式、电压和电流承受能力等方面有所不同，MOS管是由金属氧化物半导体场效应管组成的结构，其控制方式为栅极电压，而IGBT则由一个MOSFET和一个双极PNP晶体管组成，其控制方式是通过控制MOSFET的栅极电压来控制整个器件的导通和截止 。

在高压大电流场合下，MOSFET的优点是高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz;缺点是导通电阻大功耗较大，而在低频及较大功率场合下，IGBT表现卓越，其导通电阻小，耐压高 。