BTA316可控硅参数：
VDRM/VRRM 断态重复峰值电压 600/800 V
IT(RMS) 通态均方根电流 16 A
ITSM 通态不重复浪涌电流 140
I2t I2t 值 98 A2s
dIT/dt 通态电流临界上升率 50 A/μs
IGM 门极峰值电流 2 A
PGM 门极峰值功率 5 W
PG(AV) 门极平均功率
0.5
TSTG 存储温度 -40~+150 ℃
。
BTA316可控硅参数：
VDRM/VRRM 断态重复峰值电压 600/800 V
IT(RMS) 通态均方根电流 16 A
ITSM 通态不重复浪涌电流 140
I2t I2t 值 98 A2s
dIT/dt 通态电流临界上升率 50 A/μs
IGM 门极峰值电流 2 A
PGM 门极峰值功率 5 W
PG(AV) 门极平均功率
0.5
TSTG 存储温度 -40~+150 ℃
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